Gali phosphua được dùng trong sản xuất điốt phát sáng (LED) giá rẻ cho các màu đỏ, cam và xanh lục với độ sáng thấp đến trung bình kể từ những năm 1960. GaP được sử dụng độc lập hoặc cùng với gali arsenua phosphua GaAs1−xPx.

Tuổi thọ của LED rất nhạy cảm với nhiệt độ, và giảm nhanh theo cường độ dòng điện cao trên định mức.

Đèn LED GaP tinh khiết phát ra ánh sáng màu lục ở bước sóng 555 nm. GaP pha tạp nitơ phát ra ánh sáng màu vàng lục (565 nm), GaP pha tạp oxide kẽm phát ra màu đỏ (700 nm).

GaP trong suốt đối với ánh sáng vàng và đỏ, do đó đèn LED GaAsP-on-GaP hiệu quả hơn so với GaAsP-on-GaAs.

Ở nhiệt độ trên ~900 °C, gali phosphua phân tách và phosphor thoát ra dưới dạng khí. Trong quá trình tăng trưởng tinh thể từ nhiệt độ nóng chảy 1500 °C (đối với các tấm LED), điều này phải được ngăn chặn bằng cách giữ phosphor bằng một lớp Oxide bo (B2O3) nóng chảy trong áp suất khí trơ cỡ 10 - 100 atm. Quá trình này được gọi là bọc Czochralski (LEC) đóng gói chất lỏng, một công đoạn của quy trình Czochralski được sử dụng cho các tấm silicon.